IRFSL11N50A
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / Vishay IRFSL11N50A
| Artikelnummer: | IRFSL11N50A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Versandinformationen
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-
Electro-Films (EFI) / Vishay IRFSL11N50A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFSL11N50A.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-262-3 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 6.6A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Andere Namen *IRFSL11N50A Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1426pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) IRFSL11N50A Einzelheiten PDF [English] IRFSL11N50A PDF - EN.pdf -
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